設(shè)備型號(hào)：DSI-S-TC9310
應(yīng)用范圍：第三代半導(dǎo)體SiC晶圓激光內(nèi)部改質(zhì)切割，針對SiC功率器件，RF射頻器件，GaN-on-SiC等SiC襯底晶圓激光切割。應(yīng)用于微波射頻，消費(fèi)電子，新能源汽車，電源，充電樁，軌道交通，航空航天，新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域。
主要特點(diǎn)：
設(shè)備特點(diǎn)：
1、針對SiC材料特性開發(fā)出的光源系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)高精度的內(nèi)部改質(zhì)切割
2、切割速度快，良好的崩邊控制能力
3、作業(yè)無耗材，加工無材料損失
4、全自動(dòng)作業(yè)，兼容4、6英寸晶圓
5、提供系統(tǒng)解決方案，配套裂片、擴(kuò)片設(shè)備
6、SEMI標(biāo)準(zhǔn)，支持SECS-GEM通信
主要參數(shù):
| 主要參數(shù) | 晶圓襯底 | SiC襯底 |
| 晶圓尺寸 | 4英寸、6英寸 | |
| 切割厚度 | 50um-500um | |
| 切割速度 | 600mm-800mm/s | |
| 定位精度 | 重復(fù)定位精度:±1um 定位精度:±1um | |
| 傳輸系統(tǒng) | Load port, robot, aligner | |
| 長x寬x高 | 2070mm*1420mm*2238mm |
加工效果：
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