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應(yīng)用范圍：化合物半導(dǎo)體、功率器件、MEMS、射頻集成電路、LED、科研項(xiàng)目、光學(xué)器件

主要特點(diǎn)：

設(shè)備特點(diǎn)：

1、占地小、穩(wěn)定性高、操作與維護(hù)方便

2、自主可控的技術(shù)方案，自主開發(fā)的軟件系統(tǒng)，充分滿足定制化要求

3、滿足8寸及以下晶圓需求，可涂3~20000CP光刻膠

4、控制精度高，Ether CAT 通訊，高精度擺臂及傳輸機(jī)構(gòu)，實(shí)時(shí)控制解決方案

主要參數(shù):

主要參數(shù)	晶圓尺寸（mm）	50-300mm
	配置	勻膠+顯影
	適用工藝	g-Iine、 i- Iine、 PI
	應(yīng)用領(lǐng)域	Compound semiconductor、MOSFET/IGBT Scientific Research、RF-IC、 MEMS、 LED、 OPTICS
	襯底材料	Si、Glass、Sapphire、GaN、GaAs、SiC、LiTa03、Li3P04
	勻膠膠厚均勻性（1-200CP）	片內(nèi)≤±1%，片間≤±1%
	勻膠膠厚均勻性（200-1500CP）	片內(nèi)≤±2%，片間≤+2%
	勻膠膠厚均勻性（1500-7000CP）	片內(nèi)≤±3%，片間≤±3%
	顯影線條均勻性（≥1um）	片內(nèi)≤±1%，片間≤±1%